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元件参数资料
>
参数目录40452
> FDC6301N IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6
型号:
FDC6301N
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
FDC6301N PDF
产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告
Design/Process Change 11/May/2007
Mold Compound Change 08/April/2008
标准包装
1
系列
-
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
220mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
4 欧姆 @ 400mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
9.5pF @ 10V
功率 - 最大
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装
6-SSOT
包装
标准包装
产品目录页面
1216 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
FDC6301NDKR
查看FDC6301N代理商
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